H1R6V40Q-SGT 功率MOSFET 30V-200V-深圳市海思迈科技有限公司

产品中心

二极管(Diode)

功率二极管（超快速恢复）
功率二极管（快速恢复）
肖特基二极管
标准功率二极管

功率(MOSFET)

N沟道功率MOSFET 12V-2500V
超结功率MOSFET 500V-950V
SGT 功率MOSFET 30V-200V
P沟道功率MOSFET 12V-250V
Depletion Mode MOSFET
Multi-Channel MOSFET

绝缘栅双极晶体管(IGBT)

绝缘栅双极晶体管 650V
绝缘栅双极晶体管 1200v
绝缘栅双极晶体管 1350v

碳化硅（SiC）器件

碳化硅二极管
碳化硅MOS

氮化镓（GaN)器件

GaNFet 300V-650V

可控硅 (SCR)

三象限三端双向可控硅
四象限三端双向可控硅
单向可控硅

功率模块(Module)

MOSFET模块
二极管模块
IGBT模块
可控硅模块
碳化硅MOS模块
碳化硅二极管模块

晶圆(Wafer/Die)

MOS 晶圆
Diode 晶圆
SIC Diodes 晶圆
SIC mos晶圆
IGBT 晶圆
方案与应用

消费电子

电池供电电动工具
感应加热
智能家居
家庭娱乐

工业应用

电机控制和驱动
不间断电源(UPS)

通讯管理

蜂窝通信基础设施（AC-DC DC-DC BMS)
通信交换机和路由器

计算机

个人电脑
服务器
图形工作站
技术与支持
关于我们
新闻资讯
人才招聘
联系我们

产品中心

产品详情

申请样品